Как сообщается в официальном пресс-релизе, новые модули имеют 64 гигабайта памяти и изготовлены с использованием 24-нанометрового техпроцесса. Они состоят из 8 чипов памяти, объем каждого из которых составляет 8 гигабайт. Такую же емкость имеют чипы памяти Toshiba, использующиеся в модуле флеш-памяти объемом 128 гигабайт, который был представлен в июне 2010 года. Он состоит из 16 чипов, изготовленных по 32-нанометровому техпроцессу.

Toshiba отмечает, что переход на новый техпроцесс позволит компании снизить производственные издержки. Благодаря новому техпроцессу производитель сможет выпустить большее количество чипов из одной кремниевой пластины. Также в этих модулях используется технология DDR (double data rate), которая позволяет увеличить скорость передачи данных.

Новые модули памяти смогут найти применение в портативной электронике. В частности, речь идет о смартфонах, планшетах и цифровых фотокамерах.

Отметим, что на 64 гигабайтах памяти можно разместить более 8 часов HD-видео в формате 1080p или более 1000 часов музыки с битрейтом 128 килобит в секунду.