Toshiba готовит 25 нм флеш-память – грядет новое повышение емкости мобильных устройств

Автор: AK 5 апреля 2010

 
Корпорация Toshiba заявила, что она находится на ранних стадиях подготовки к выпуску новых чипов NAND памяти, отвечающих нормам 25 нм техпроцесса. Подобная технология позволит со временем создавать более компактные модули флеш-памяти и другие компоненты, чем это допускает существующая 32 нм методика.
При этом японский электронный гигант заявил Nikkei BP, что он планирует относительно быстро достигнуть стадии массового производства чипов NAND памяти по нормам 25 нм техпроцесса. Кроме того, к 2012 году Toshiba намерена перейти на еще более “тонкие” технологические нормы, допускающие создание продуктов с очень высокой плотностью.

Вероятнее всего, новая 25 нм флеш-память первоначально будет применяться в фирменных решениях Toshiba. Кроме того, японская компания является вторым (вслед за Samsung) мировым производителем флеш-памяти и ключевым поставщиком модулей памяти для Apple iPhone и iPod. Напомним, в конце прошлого года Toshiba представила модули флеш-памяти емкостью 64 Гб, которые могут найти применение в следующем поколении iPhone и iPod touch. А переход на 25 нм техпроцесс может привести к созданию модулей памяти емкостью 128 Гб.



Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.
Другие новости по теме:

  • Toshiba представила образцы первых в мире 32 нм чипов NAND флеш-памяти
  • Toshiba наладила выпуск самых маленьких модулей флеш-памяти
  • Массовый переход на 3-битную флеш-память - уже в 2010 году
  • Toshiba открывает эру 32-нм флэш-памяти
  • Массовое производство 32 нм флеш-памяти Toshiba - в сентябре

  • Информация

    Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.